از زمانی که DRAM ها در بازار رایانه ها حضور دارند خیلی می گذرد و تا کنون فناوری رم جدیدتری نتوانسته جایگزین آن ها شود. اما یک اتحادیه متشکل از شرکت های ژاپنی و آمریکایی در تلاش است فناوری جدیدی برای نسل بعدی رم ها با نام Magnetoresistive random access memory یا MRAM توسعه دهد.
شرکت های اصلی در این اتحادیه توکیو الکترون، شین-اتسو کمیکال، رنساس الکترونیکز، هیتاچی و شرکت حافظه ساز آمریکایی میکرون تکنولوژی هستند. متخصصان این شرکت ها در دانشگاه توهوکوی ژاپن گرد آمده اند و از سه ماه دیگر کار خود را شروع خواهند کرد.
در MRAM ها داده به جای ذخیره شدن به صورت جریان الکتریکی، توسط قطعات مغناطیسی ذخیره می شود. این طور که گفته اند MRAM ها به یک سوم انرژی DRAM ها نیاز دارند در حالی که ۱۰ برابر آنها ظرفیت و سرعت نوشتن ارائه می کنند.
این ویژگی ها باعث می شود این نوع رم ها برای استفاده در نسل آتی تلفن های هوشمند و تبلت ها عالی باشند. البته برای به تولید انبوه رسیدن MRAM ها باید تا ۲۰۱۸ صبر کرد. به علاوه همین حالا یک شرکت پیشروی آمریکایی به نام Everspin Technologies چنین رم هایی تولید می کند. این شرکت در توضیح MRAM های خود می گوید:
«اوراسپین تکنولوژی تولید کننده و توسعه دهنده پیشرو رم های مغناطیسی (MRAM) است…MRAM های اوراسپین سریع ترین حافظه های غیر فرار بازار هستند…MRAM ها چرخه زمانی و پایداری خواندن/نوشتن نامحدود SRAM ها را دارند و برای بیش از ۲۰ سال غیر فرار می مانند…اوراسپین بیشتر از ۶۰۰ پتنت و سند در دست دارد که برای ساخت MRAM ها ضروری است.» حالا باید منتظر ماند و دید تا ۲۰۱۸ این فناوری را در دستگاه های الکترونیک شاهد خواهیم بود یا اتفاقی دیگر، مسیر فناوری را عوض می کند.