شرکت سازنده چیپ SK Hynix کره جنوبی اعلام کرده است که با فناوری فوق پیشرفته موفق به دو برابر کردن نرخ داده ۴ ماژول با ظرفیت ۱۲۸ گیگابایت شده است
ماژول های DDR4 جدید بر پایه تکنولوژی Through Silicon Via می باشد و به طور قابل توجهی سرعت و کارایی را بهبود بخشیده است Through Silicon Via حافظه با دسترسی تصادفی می باشد که در اصطلاح عام به DRAM مشهور هستند
بر طبق گفته سازنده ماژول های حافظه ۱۲۸ گیگابایتی DDR4 می تواند به سرعتی نزدیک به ۲,۱۳۳ مگابایت در ثانیه برسد که در مقایسه با حافظه های DDR3 که دارای سرعتی ۱,۳۳۳ مگابایت در ثانیه می باشد دو برابر سریعتر هستند. خوشبختانه این ماژول ها مصرف انرژی کمتر دارند و با ۱٫۲ ولت انرژی کار می کنند در حالی که نسل قبلی یعنی حافظه های DDR3 با ۱٫۳۵ ولت کار می کرد
تولید انبوه حافظه های حافظه های ۱۲۸ گیگابایتی DDR4 انتظار می رود از نیمه اول سال ۲۰۱۵ شروع شود