روز دوشنبه شرکت کره‌ای سامسونگ از فناوری ۱۱ نانومتری FinFET برای ساخت پردازنده‌های جدید رونمایی کرد. سامسونگ در بیانیه‌ی مطبوعاتی خود اعلام کرد که فناوری ساخت ۱۱ نانومتری LLP (مخفف Low Power Plus)، در مقایسه با لیتوگرافی ۱۴ نانومتری، ۱۵ درصد کارایی بهتری خواهد داشت.
پردازنده‌های ۱۴ نانومتری LLP در گوشی‌های سری A و J سامسونگ در سال ۲۰۱۷ استفاده شده‌اند. همچنین تراشه‌هایی که با فناوری ۱۱ نانومتری ساخته شده‌اند؛ ۱۰ درصد کوچک‌تر از تراشه‌های مشابه با فناوری ۱۴ نانومتری هستند؛ درحالی‌که توان مصرفی آن‌ها با هم برابر است.
رایان لی، سرپرست بازاریابی شرکت سامسونگ الکترونیکس، درباره‌ی آخرین اقدامات این کمپانی چنین شرح می‌دهد: سامسونگ فناوری ساخت ۱۱ نانومتری را به پروسه‌ی تولید اضافه کرده است تا بتواند گزینه‌های پیشرفته‌ای برای برنامه‌های مختلف در نظر بگیرد. بنابراین سامسونگ قصد دارد این بهبودها را ادامه دهد و در سه سال آینده، فناوری ساخت ۱۴ نانومتری را به ۱۱، ۱۰، ۸ و ۷ نانومتر برساند.
انتظار می‌رود تراشه‌های جدید، نیمه اول سال ۲۰۱۸ آماده استفاده باشند. کمپانی سامسونگ از این تراشه‌ها برای دستگاه‌های رده‌ی متوسط و رده بالا استفاده خواهد کرد. حدس ما این است که اولین گوشی‌هایی که از این پردازنده‌ها استفاده خواهند کرد، گلکسی A و C باشند.
این شرکت همچنین تأیید کرده است که توسعه‌ی فناوری ساخت ۷ نانومتری LLP LUV (مخفف Extreme Ultra Violet) را از نیمه‌ی دوم سال ۲۰۱۸ شروع خواهد کرد. همانطور که ممکن است بدانید، تیم سخت‌افزاری سامسونگ از ماه می سال جاری در حال کار روی فناوری ساخت ۷ نانومتری LLP هستند و ادامه‌ی نقشه‌ی راه آن‌ها، نشان‌دهنده‌ی ارتقاء فناوری ساخت از ۱۰ به ۴ نانومتر است.
منبع: PHONEARENA